富士電機(jī)開發(fā)了IGBT模塊作為電動(dòng)機(jī)的可變速驅(qū)動(dòng)裝置或不間斷電源裝置等的電力轉(zhuǎn)換器的開關(guān)元件。IGBT是同時(shí)具有功率MOSFET的高速開關(guān)性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件。
特長(zhǎng)
實(shí)現(xiàn)了封裝小型化和輸出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C時(shí)可保證連續(xù)運(yùn)行
環(huán)境友好型模塊
- 高裝配性，支持無(wú)焊裝配
- 支持RoHS（部分除外）
開關(guān)特性
- 改善噪音-損耗平衡
- 通過(guò)降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動(dòng)
富士PIM模塊
為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機(jī)和歐派克采用PIM模塊結(jié)構(gòu)。包括三相全波整流和6—7個(gè)IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個(gè)模塊上，在小功率變頻器內(nèi)（11KW以下）均用PIM模塊較為合算。
集成整流橋 IGBT-PIM
EconoPIM? 含整流橋7合1 IGBT模塊-PIM
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產(chǎn)品型號(hào) |
參數(shù)說(shuō)明 |
封裝形式 |
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7MBR25UA120
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1200V,25A/Tc=25℃,飽合壓降2.1
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M711
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7MBR35UA120
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1200V,35A/Tc=25℃,飽合壓降1.95
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M711
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7MBR35UB120
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1200V,35A/Tc=25℃,飽合壓降2.0
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7MBR50UA120
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1200V,50A/Tc=25℃,飽合壓降1.90
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M711
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7MBR50UB120
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1200V,50A/Tc=80℃,飽合壓降2.0
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M712
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7MBR75UB120
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1200V,75A/Tc=25℃,飽合壓降1.80
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M712
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7MBR100UB120
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1200V,100A/Tc=25℃,飽合壓降1.90
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M712
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*1含整流橋7合1 1200V IGBT模塊-PIM
*2含整流橋7合1 600V IGBT模塊-PIM
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產(chǎn)品型號(hào) |
參數(shù)說(shuō)明 |
封裝形式 |
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7MBR10SA120 |
1200V,100A/Tc=80℃,飽合壓降2.6 |
M711 |
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7MBR15SA120 |
1200V,10A/Tc=80℃,飽合壓降2.6 |
M711 |
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7MBR25SA120 |
1200V,25A/Tc=80℃,飽合壓降2.6 |
M711 |
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7MBR35SB120 |
1200V,35A/Tc=80℃,飽合壓降2.7 |
M712 |
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7MBR50SB120 |
1200V,50A/Tc=80℃,飽合壓降2.7 |
M712 |
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產(chǎn)品型號(hào) |
參數(shù)說(shuō)明 |
封裝形式 |
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7MBR30SA060 |
600V,30A/Tc=80℃,飽合壓降2.4 |
M711 |
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7MBR50SA060 |
600V,30A/Tc=80℃,飽合壓降2.4 |
M711 |
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7MBR50SB060 |
600V,50A/Tc=80℃,飽合壓降2.4 |
M712 |
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7MBR75SB060 |
600V,75A/Tc=80℃,飽合壓降2.55 |
M712 |
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7MBR100SB060 |
600V,100A/Tc=80℃,飽合壓降2.6 |
M712 |
